收藏本站
New Product
Si3438DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
4.9
4.0
1.5
1.2
3.1
0.9
2.2
0.6
1.3
0.4
- 0.5
0.3
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Foot
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 68393
S09-0766-Rev. B, 04-May-09
www.vishay.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI3442CDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP
SI3443BDV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
SI3443CDV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
SI3443DVTRPBF MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
SI3443DV MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
SI3445DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
SI3454ADV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP
SI3455ADV-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
相关代理商/技术参数
SI3438DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3440DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI3440DV_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI3440DV-T1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,1.2A I(D),TSOP
SI3440DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 150V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3440DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 150V 1.5A 2.0W 375mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3441 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI3441BDV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET